无迟滞六方氮化硼封装二维半导体晶体管，NMOS和CMOS逆变器

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作者：scidown 发布时间：2021-12-09 11:15:44 文章标题：

无迟滞六方氮化硼封装二维半导体晶体管，NMOS和CMOS逆变器( Hysteresis‐Free Hexagonal Boron Nitride Encapsulated 2D Semiconductor Transistors, NMOS and CMOS Inverters )

文章作者：

Shuai Liu Kai Yuan Xiaolong Xu Ruoyu Yin Der‐ Yuh 2D materials hysteresis‐free inverters transistors van der Waals (vdWs) heterostructures

文章简述：

石墨烯以及随后发现的层状半导电过渡金属二卤代物（TMDCs）具有许多独特的物理性质和广泛的器件应用前景。这些二维半导体TMDCs由于其原子厚度和非零禁带而在下一代电子器件的应用中变得特别有趣。然而，由于晶体没有体积，其二维性质使得电子在晶体中的传输对环境条件非常敏感，如湿度、吸附质和相邻介质中的俘获电荷。由于这种环境敏感性，基于2D的电路和器件遭受了大的和不希望的环境诱导迟滞，为了可靠的运行和计算，必须消除这种迟滞。通过机械组装vdWs异质结构和边缘接触石墨电极，实现了二维半导体通道的完全密封和保护。本文制备了六方氮化硼(hBN)封装的高性能无磁滞二维半导体晶体管、N型金属氧化物半导体和互补型金属氧化物半导体逆变器。hBN封装为半导体n-MOS₂和p-WSE₂提供了良好的环境保护，从而获得了实现二维电子学和计算所必需的无滞后二维电子学特性。

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