非晶氧化物半导体的载流子输运与电子结构

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作者：scidown 发布时间：2021-06-02 10:23:11 文章标题：

非晶氧化物半导体的载流子输运与电子结构( Carrier transport and electronic structure in amorphous oxide semiconductor, a-InGaZnO4 )

文章作者：

A Takagi K Nomura H Ohta H Yanagi T Kamiya M Hirano H Hosono amorphous materials semiconductors electrical properties optical properties

文章简述：

利用霍尔测量对非晶氧化物半导体InGaZnO4（a-IGZO）薄膜的载流子输运特性进行了研究。研究发现，随着载流子浓度的增加，霍尔迁移率明显增加。在载流子浓度（N e）>10 16 cm3的薄膜上观察到了一定的正态霍尔电压信号,在N e>10 20 cm3的薄膜上获得了高达15 cm2（Vs）1的霍尔迁移率。当N e小于10 19cm3时,尽管载流子浓度与温度无关,但霍尔迁移率的温度依赖性表现为热激活行为。当N e>10 18 cm3时,电导率几乎变为退化。这些行为与在单晶IGZO中观察到的相似，并通过非晶结构的随机性在导带底部附近形成的分布势垒的渗流传导来解释。由光学数据估算出a-IGZO的有效质量为0.34m e（m e为自由电子的质量）,与晶体IGZO的有效质量（0.32m e）基本相同。

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