Scidown文献预览系统！
半导体材料中1/f噪声Hooge关系的另一种形式( An alternative form of Hooge s relation for 1/f noise in semiconductor materials )
Grueneis, Ferdinand
单量子点等材料在开、关态之间呈现不规则切换；这些通断状态遵循幂律统计，产生1/f噪声。我们将这种现象（也称为通断间歇）转移到半导体材料中的生成和复合（g-r）过程中。除了g-r噪声之外，我们还得到了1/f噪声，它可以以Hooge关系的形式提供。预测的Hooge系数依赖于g-r噪声参数和间歇性参数。由于导通时间的幂律分布，间歇系数对时间t表现出平滑的依赖关系。我们还提出了Hooge的1/f噪声公式的另一种形式，将1/f噪声与中心数（如施主原子或陷阱原子）联系起来，而不是与Hooge定义的载流子数联系起来。
SciDown文献求助系统（解决99%问题） Public Download arXiv.org
『Sci-Hub|Scidown』怎么用？来看看教程吧！

支持模式 1.支持DOI号 2.支持英文文献全名搜索 3.支持参考文献搜索 4.知网文献（暂时关闭）

安卓手机、电脑用户，您可以在QQ浏览器里输入 www.scidown.cn 打开scidown解析，就可以解析、下载了！（注意是文献的DOI号）

苹果手机用户，您需要先在App Store里搜索并下载 Documents by Readdle 这个APP，在APP首页，左划右下角的指南针图标打开APP内置浏览器，在浏览器里输入 www.scidown.cn 打开scidown解析，就可以解析、下载了！

如出现BUG？赶快加入【Scidown互助交流群】反馈吧：729083885【点击一键加群】
『Sci-Hub|Scidown』相关参考文献
scidown 红甘蓝提取物和壳聚糖水凝胶的智能治疗性ph敏感性伤口敷料的制备及表征下载
scidown 为一个你的进入障碍不再持续的未来做好准备下载
scidown 加强恢复结直肠手术的神经肌肉阻滞管理和术后结果:POWER试验的二次分析下载