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高性能钙钛矿发光二极管电子传输层的分子结构调整的双功能化( Dual Functionalization of Electron Transport Layer via Tailoring Molecular Structure for High Performance Perovskite Light Emitting Diodes )
L Cai F Yang Y Xu J Fan B Sun passivation electron mobility electron transport layer light-emitting diodes perovskite
钙钛矿型发光二极管中发射层(EML)的改性和优化取得了很大进展，器件效率得到了显著提高。然而，到目前为止，对于空穴/电子注入和输运层的探索，以最大限度地利用载流子来实现高效稳定的PELEDs的研究还很少。目前，电子传输层(ETL)的低电子迁移率导致电荷注入不平衡，ETL/钙钛矿界面的缺陷限制了激子的形成和利用。本文开发了一系列以二苯基-1H-苯并[d]咪唑为端基的化合物(BPBiTP、BPBiPN和BPBiPA)作为ETL材料，其中桥联单元（苯、萘、蒽）被操纵以获得双重功能，即高电荷载流子迁移率和有效钝化钙钛矿表面。配位端基由于具有较强的亲核性质，有效地降低了ETL和EML界面上的陷阱态密度。由于蒽单元的H-聚集和较大的转移积分，BPBiPA在固态下的电子迁移率为8.4×10-4cm2V-1s-1,比TPBi高出一个数量级。因此，在没有任何外耦合技术的情况下，绿球获得了19.7%的最大外量子效率(EQE)，降低了效率滚降，延长了工作寿命。结果表明，通过提高ETL材料的钝化性能和电子迁移率来优化ETL材料是制备高性能PELEDs的有力策略。
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