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n型CsBi4Te6热电材料的掺杂研究( Doping studies of n-type CsBi4Te6 thermoelectric materials )
MA Lane JR Ireland PW Brazis T Kyratsi CR Kannewurf
我们以前已经报道了成功的p型掺杂CsBi4Te6，在300K以下的温度下具有很高的品质因数。在本研究中，我们探索了几种掺杂剂来制备n型CsBi4Te6。通过测量程序确定了几种系列掺杂剂的最佳掺杂浓度。0.5%Sn掺杂的CsBi4Te6和1.0%Te掺杂的CsBi4Te6的最高功率因数分别为21.9μW/cm·K2和21.7μW/cm·K2。
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