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高稳定n型薄膜晶体管的线性聚合物晶粒排列( Alignment of linear polymeric grains for highly stable N-type thin-film transistors )
Y Jiang L Ning C Liu Y Sun Y Liu
对温度不敏感的特性对大多数电子器件都很有吸引力，包括聚合物半导体器件。特别是高迁移率聚合物场效应晶体管（FET）由于其广泛的应用而成为重要的研究目标。然而，在极冷或极热区工作的具有稳定电荷输运的聚合物场效应晶体管面临着巨大的挑战。在本研究中，聚丙烯腈被发现显着调节聚合物在溶液中预聚集体的尺寸和聚合物薄膜的结晶度。以聚丙烯腈为添加剂,采用棒状包覆工艺制备了具有5-25微米线状晶粒取向的薄膜,并在较宽的温度范围内稳定了薄膜的电子迁移率。薄膜的线状晶粒形态有助于减少载流子输运路径中的空穴和晶界。典型地，基于P(NDI2OD-T2)的顶栅场效应晶体管在200～460 K范围内表现出稳定的电子输运行为，迁移率大于3.5cmVs。
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