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退火和快速重离子辐照对氧化钒薄膜的影响( Effect of annealing and swift heavy ions irradiation on vanadium oxide thin films )
Kapil Gupta Sarvesh Kumar Rahul Singhal
本工作采用电子束蒸发法，用低成本的V2O5粉末在Si(100)衬底上沉积了氧化钒薄膜（200 nm）。部分样品在500°C氩气氛中退火1 h,并在氩气氛中以自然速率冷却。用不同注量的100 MeV Ag离子束对沉积样品进行辐照。掠入射X射线衍射(GIXRD)和拉曼光谱分析表明，薄膜由V6O13相（混合价态）组成。经后退火后，该V6O13相转变为多晶V2O5相。Raman谱中V6O13相有一个新的峰，在高注量下没有变化；FTIR谱中，在高注量下，谱带向低波数方向移动。这种向较低波数侧移动的带可能是由于钒氧键的减弱，在薄膜中产生氧空位。薄膜中缺陷的产生是由于SHIs在材料中通过而形成的熔融区所施加的压力所致。
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