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石墨烯场效应晶体管中门控量子电容引起的相移( Phase Shift Induced by Gate-controlled Quantum Capacitance in Graphene FET )
J Li X Mao X Gu S Xie H Chen
栅控量子电容和沟道电阻是影响石墨烯场效应晶体管性能的重要因素。本文实验验证了石墨烯场效应晶体管的输出相位在量子电容和沟道电阻的影响下发生变化，而量子电容和沟道电阻是由栅极电压控制的。对这一现象进行了理论分析，并建立了模型对相移进行了模拟。得到的模型模拟结果与实验结果吻合较好。本文揭示了栅极电压变化对GFET相位特性的影响，为GFET在移相器中的应用和小信号模型的建立提供了研究基础。
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