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石墨烯生长在Ge(001)原子来源( Graphene Grown on Ge(001) from Atomic Source )
Gunther Lippert Jarek Dabrowski Thomas Schroeder Yuji Yamamoto Felix Herziger Janina Maultzsch Jens Baringhaus Christoph Tegenkamp Maria Carmen Asensio Jose Avila Grzegorz Lupina
在石墨烯的许多预期应用中，一些--比如 硅微电子晶体管-将大大受益于 在Si上生长的半导体上直接沉积石墨烯的可能性 晶圆。我们报道了在Si(001)晶片上可以均匀地覆盖Ge(001)层 石墨烯在800℃和熔化温度之间 石墨烯是封闭的，其电阻率随石墨烯的增加而减小 生长温度，随沉积C的量而弱降低 下降到2克米/平方米。表面粗糙度活化能低 （约0.66eV)和在以下温度范围内保持不变 石墨烯就形成了。密度泛函理论计算表明 影响生长的主要物理过程是：（1）锗的替代 通过C的表面二聚体，(2)C团簇与Ge单体的相互作用，以及 （3）石墨烯边缘与Ge(001)之间形成化学键 当C原子的表面扩散超过过程1和过程2时，CH$_{2}$表面扩散 从CH$_{4}$传送。本研究结果表明，石墨烯 可以直接在晶体管的有源区产生 与Si技术兼容。
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