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氮化镓基肖特基结构紫外探测器( GaN基肖特基结构紫外探测器 )
王俊 赵德刚 刘宗顺 伍墨 金瑞琴 李娜 段俐宏 张书明 朱建军 杨辉 GaN 肖特基结构 紫外探测器 响应度
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线,C-V特性曲线,光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.
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