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核卤化对萘噻二唑衍生物电子结构的影响( Influence of Core Halogenation on the Electronic Structure of Naphthothiadiazole Derivatives )
M Ajdari F Landwehr M Hoffmann H Hoffmann P Tegeder
萘噻二唑是应用于有机半导体（光电）电子器件的极有前途的电子受体。本文用程序升温脱附、振动和电子高分辨电子能量损失谱研究了萘噻二唑(NTD)衍生物在Au(111)上的单层和薄膜吸附的结构和电子性质。此外，我们进行了最先进的量子化学计算，以进一步阐明电子性质。在单层和多层覆盖体系中，NTD衍生物以平面形式吸附，分子骨架平行于金表面，测定了几个单重态和第一个三重态跃迁能，发现非卤代NTD的光学间隙(S0→S1跃迁）为2.6eV,而氯化和溴代NTD的光学间隙减少了200meV。所有实验观察到的单重态和三重态跃迁能都由于卤化作用而降低，这在理论上得到了强调。
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