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石英衬底上li掺杂p型ZnO纳米棒的制备与表征( Fabrication and Characterization of Li-Doped p-Type ZnO Nanorods on Quartz Substrates )
X. H. Wang R. B. Li H. X. Zhu HALL EFFECT P-TYPE ZNO NANORODS P–N HOMOJUNCTION
采用化学气相沉积法在石英衬底上制备了无催化剂掺锂的p型氧化锌纳米棒。用X射线光电子能谱(XPS)对ZnO纳米棒中Li1s的化学键态进行了表征,并在55.68eV处观察到Li1s峰。Van der Pauw构型下的霍尔效应实验表明,Li掺杂的p型ZnO纳米棒的空穴浓度为大约1016cm-3。由掺杂2at%Li的p型ZnO纳米棒和n型ZnO薄膜组成的p-n同质结的I-V曲线表明,正向偏压下的导通电压约为4.8V,反向击穿电压约为58.5V,表明掺Li的ZnO纳米棒是实现p型ZnO导电的良好选择
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