液晶显示器器件铝电极TFT特性研究

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作者：scidown 发布时间：2021-09-23 16:31:59 文章标题：

液晶显示器器件铝电极TFT特性研究( TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究 )

文章作者：

张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨沟道界面；漏电流；

文章简述：

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N~+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N~+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.

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