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石墨烯/绝缘体上硅混合结构的超灵敏和快速光响应,通过控制光控效应( Ultrasensitive and fast photoresponse in graphene/silicon-on-insulator hybrid structure by manipulating the photogating effect )
H Jiang C Nie J Fu L Tang X Wei
石墨烯与半导体材料的光选通杂化结构由于具有超高的响应性而引起了人们的广泛关注。然而,响应度(或增益)的增加是以牺牲响应时间为代价的。本文设计了一种通过操纵光选通效应(MPE)来同时获得提高响应度和快速响应时间的机制。这一概念通过石墨烯/绝缘体上硅(GSOI)混合结构得到了证明。获得了超过10 a/W的超高响应度和90 s的快速响应时间。在532 nm波长下,比检出率D*为1.4610Jones。利用Silvaco TCAD模型解释了该操纵效应,并通过实验中不同掺杂量石墨烯的GSOI器件进一步验证了该效应。该机制为调制载流子分布和输运提供了良好的指导,为提高石墨烯/半导体混合光电探测器的性能开辟了一条新的途径。
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