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界面态对mn3al基磁性隧道结自旋隧穿效应的影响( The interfacial states effects on the spin-dependent tunneling of Mn3Al-based magnetic tunnel junction )
M Qiu S Ye W Wang J He Q Huang
反铁磁体（AFMs）由于具有较强的环境适应性，成为自旋电子学的研究热点之一；然而，它们的磁有序结构限制了它们的实际应用。补偿后的Mn3Al铁磁体具有AFM的特性，磁矩可以通过磁场控制。Mn3Al具有较高的居里温度(605K)，它的成功合成有望在自旋电子器件中获得新的应用。本文用非平衡格林函数方法研究了磁性隧道结(MTJ)中自由Mn3Al(001)表面的电子结构以及Mn3Al电极与GaAs隧道势垒的界面效应。虽然两种不同类型的Mn3Al表面的部分态密度在表面和体之间重新分布，但两种表面结构都保持了半金属性。由于表面的半金属性，MTJ的隧穿磁电阻(TMR)高达107%。此外，还研究了TMR与GaAs势垒厚度和界面的关系。通过界面态的直观显示，我们发现界面态可以促进反平行构型中的电子隧穿。由于弱界面态的存在，可以在较小的势垒宽度下保持较高的TMR。用互易空间中的透射系数对结果进行了解释。这一工作为基于Mn3Al的MTJS的设计和实现提供了一些物理上的见解。
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