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转移van der Waals金属电极的sub-1 nm MoS2垂直晶体管( Transferred van der Waals metal electrodes for sub-1-nm MoS2 vertical transistors )
L Liu L Kong Q Li C He Y Liu
垂直晶体管--其中的沟道长度由半导体的厚度决定--在下一代电子设备的发展中是很有兴趣的。然而，短沟道垂直器件很难制造，因为高能金属化工艺典型地导致接触区的损坏。在这里，我们展示了利用低能范德华金属集成技术可以制造沟道长度到一个原子层的二硫化钼(MoS2)垂直晶体管。该方法使用预制的金属电极，在MoS2/石墨烯垂直异质结构的顶部进行机械层压和转移，导致垂直场效应晶体管的通断比分别为26和10，沟道长度分别为0.65 nm和3.60 nm。利用扫描隧穿显微镜和低温电学测量，我们表明改善的电学性能是由于高质量的金属-半导体界面，最小化了直接隧穿电流和费米能级钉扎效应的结果。该方法也可以推广到其他层状材料（二硒化钨和二硫化钨），从而得到亚-3-nm的p型和n型垂直晶体管。
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