复合〆加强杂质扩散在ヾ开砷化镓

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作者：scidown 发布时间：2021-09-01 17:07:26 文章标题：

复合〆加强杂质扩散在ヾ开砷化镓( Recombination〆nhanced impurity diffusion in Beヾoped GaAs )

文章作者：

Masashi Uematsu Kazumi Wada

文章简述：

首次在Be掺杂GaAs中观察到复合掺杂扩散(REID)。研究了隧道二极管的电流特性。室温下，正向偏压下的Be扩散增加了约1015倍，扩散激活能从热扩散的1.8eV降低到Reid的0.6eV。Be的RElD被认为是降解的根源，其中少数载流子注入在复合中心释放的能量可以增强扩散。

文章下载地址（开放版）：

AIP

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