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磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化
马铭 任瑛 侯晓多 陈国清 张贵锋 多元高熵合金薄膜；低温渗氮；力学性能
采用磁控溅射技术沉积了 AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400 ℃以下采用高密 度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用 X 射线衍 射(XRD),原 子 力 显 微 镜 和 纳 米 压 痕 对 氮 化 后 薄 膜 的 微 观 结 构 ,表 面 形 貌 以 及 力 学 性 能 进 行 了 分 析 .结 果 表 明 ,高 熵 效 应 有 利 于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200 ℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N 薄膜晶体结 构 呈 现 简 单的 FCC 结构,且具有(111)择 优 取 向.随 着 氮 化 温 度 的 增 加,(AlCrWTaTiNb)N 复 合 薄 膜 的显微硬度,弹性模量和对应的 H3/E2 均增大,氮化温度为300 ℃时,达到最大,随后略 微 下 降 .随 氮 化 时 间 的 延 长 ,显 微 硬 度 和 弹 性 模 量 均 逐 渐 增 加 .
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