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x射线照射对a-IGZO和LTPS薄膜晶体管的影响( Effect of X-ray irradiation on a-IGZO and LTPS thin-film transistors for radiography applications )
S Park MK Song T Sung JY Kwon
研究了X射线辐照对非晶态铟镓锌氧化物（a-IGZO）和低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管（TFT）的影响。比较了薄膜晶体管在X射线照射不同阶段的电学特性。在X射线辐照后，a-IGZO薄膜晶体管保持了其性能，而LTPS薄膜晶体管表现出相当大的性能下降。在X射线辐照下，LTPS薄膜发生了明显的负阈值电压位移。此外，迁移率、阈下摆幅和关断电流等电学参数也明显恶化。此外，通过XPS深度剖面分析证实了Si与SiO2间层相变区Si2p峰的结合能位移。这一结果表明，在X射线照射下，LTPS的晶体结构发生了永久性损伤。在相同剂量的X射线照射下，a-IGZO薄膜没有发生明显变化，表明a-IGZO对X射线照射具有耐受性。因此，我们期望a-IGZO应用于医用X射线探测器的有源矩阵背板中，以延长使用时间。本工作不仅为X射线对半导体材料的影响提供了系统的研究，而且为高耐久性X射线探测器提供了一种替代材料。
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