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一种用于全光刻有机电子学的综合性纳米互穿半导体光刻胶( A comprehensive nano-interpenetrating semiconducting photoresist toward all-photolithography organic electronics )
Renzhong Chen Xuejun Wang Xin Li Hongxiang Wang Mingqian He Longfei Yang Qianying Guo Shen Zhang Yan Zhao Yang Li Yunqi Liu Dacheng Wei
由于高分辨率、可靠性和工业兼容性，全光刻技术是有机电子工业制造的一种很有前途的策略。然而，由于缺乏具有高图形化分辨率、迁移率和抗光刻溶液工艺性能稳定性的半导体光致抗蚀剂，它获得的成功有限。在这里，我们开发了一种具有纳米互穿结构的综合性半导体光致抗蚀剂。在光刻之后，纳米结构的交联网络与半导体聚合物的连续相互穿，使得亚微米级的图形精度和紧凑的分子堆叠具有高的热力学稳定性。在显影剂和汽提剂中浸泡1000 min后，迁移率达到可光交联有机半导体的最高值，几乎保持100%。由于全光刻技术的综合性能，实现了全光刻技术，可制造密度达1.1×10cm的有机逆变器和高密度晶体管阵列，比传统印刷工艺大1~4个数量级，为高集成度有机电路和系统的制造开辟了一条新的途径。
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scidown DOI: 10.1002 / adem.201200048磁性形状记忆复合材料中大微结构颗粒的建模和模拟∗∗下载