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垂直叠加MoSe$_2$/WSe$_2$异质双层膜的层间激子光谱( Interlayer excitonic spectra of vertically stacked MoSe$_2$/WSe$_2$ heterobilayers )
R Gillen BSE calculations exciton g factors exciton lifetimes interlayer excitons TMDC heterostructures
垂直堆叠的MoSe2/WSe2异质结构的光谱中含有单个单层材料中不存在的额外的层间激子峰,并且在平面外方向上表现出明显的空间电荷分离。在前人研究的基础上,我们采用多体微扰理论方法,分别考虑动量-直接激子和动量-间接激子,模拟和分析了三层MoSe2/WSe2异质结的激子谱。我们发现,层间激子的小振子强度和相应的光学响应显著地依赖于堆叠,并导致“明亮”层间激子的高辐射寿命在5-200ns(t=4K)范围内。通过求解有限动量的Bethe-Salpeter方程,我们预测最低能的激发应该是基波间接带隙(K ightarrow ightarrow Q)上的间接激子,结合能为220MeV。然而,与最近的磁光实验和前人的理论研究一致,我们对有效激子Landég因子的模拟表明,在MoSe2/WSe2异质结构中,实验上没有观察到低能动量间接激子。我们进一步揭示了层间C激子的存在,它具有显着的激子结合能和光振子强度,类似于单层和少层过渡金属双卤系化合物中显着的能带嵌套激子。
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