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利用氮离子注入形成环形通道的垂直GaN肖特基势垒二极管( Vertical GaN Schottky Barrier Diode Using Nitrogen Ion Implantation to Form a Donut-Shaped Channel )
CW Chen LY Kuo YC Lai YM Hsin
本文提出了用氮离子注入在垂直GaN肖特基势垒二极管(SBDs)中形成圆形和甜甜圈形沟道的方法。使用剂量为1×1015cm2、能量为100/150keV的氮离子形成电流阻挡层，将沟道与台面边缘隔开，从而降低了反向偏压中刻蚀损伤引起的泄漏。具有圆形和甜甜圈形沟道的SBDs显示出减小的漏电流，从而提高了击穿电压。此外，圆圈形沟道的SBD比圆形沟道的SBD具有更宽的电流扩展，因而比导通电阻（R ON）有所提高。此外，为了改善SBD的正向和反向偏压特性，在SBD中加入了一个带有圆圈形沟道的浮动金属环(FMR)。
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