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调制掺杂:二维材料电子学的一种策略( Modulation Doping: A Strategy for 2D Materials Electronics )
D Wang XB Li HB Sun
如何在二维材料中开发可控的、无损的掺杂技术，使其应用于电子学和光电子学领域，仍然是一个巨大的挑战。在这里，我们提出了一种调制掺杂策略，其中完美的n-/p型沟道层是通过接受/捐赠电子来自/到邻近封装层内的缺陷来实现的。我们在BN/石墨烯、BN/MoS2异质结构中证明了这种策略，在这种异质结构中，以前认为无用的深缺陷，如BN中的氮空位，可以为石墨烯和MoS2提供自由载流子。通过对封装层周围环境进行工程处理，进一步调制载流子密度。此外，缺陷和载流子在空间上自然分离，消除了库仑杂质散射的影响，从而在二维极限下允许高迁移率。这种掺杂策略提供了一种非常可行的方法来调谐二维通道材料，而不会引起任何结构损伤，为高性能的二维纳米电子器件铺平了道路。
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