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室温下在fe_3o4 /PET异质结构中发展的大自旋依赖隧道磁电阻:柔性和可穿戴自旋电子学的一个有前途的候选者( Large spin-dependent tunneling magnetoresistance in Fe 3 O 4 /PET heterostructures developed at room temperature: A promising candidate for flexible and wearable spintronics )
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采用反应溅射法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了不同厚度的半金属纳米晶磁铁矿(Fe3O4)薄膜。Fe3O4薄膜(200-nm)/PET异质结具有优越的电学和磁学特性，其Verwey转变温度(Tv)为122K,饱和磁化强度为361EMU/cm。此外，由于自旋极化电子隧穿Fe3O4薄膜，反铁磁(AFM)耦合反相边界(APBs)控制了薄膜的输运性质。在300 K下，由Fe3O4(200nm厚）/PET构成的H∞膜面，当H值低于60 kOe时，磁电阻(MR)值很高（8.9%）。此外，在90°和45°弯曲角下进行了挠性测试，测试了电阻率、M-H和MR。并进行了可循环性实验，验证了这些特性的重复性。这些结果表明，Fe3O4/PET异质结构可能是柔性/可穿戴自旋电子学的一个有希望的候选材料。
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