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基于铟掺杂二硫化锡几层的光电探测器增强光电探测性能( Enhanced Photodetection Performance of Photodetectors Based on Indium-Doped Tin Disulfide Few Layers )
Chao Fan Zhe Liu Shuo Yuan Xiancheng Meng Erping Li
二维二硫化锡(SnS2)作为一种具有快速响应、高响应度和良好稳定性等优点的高性能光电探测器，受到了越来越多的关注。然而，基于SNS2的光电探测器仍然面临着巨大的挑战，光电探测性能有待提高，以实现实际应用。本文用化学气相传输法合成了CVT生长的SnS2(In-SnS2)单晶，从单晶中剥离出少量的In-SnS2(In-SnS2)层。制备了In-SnS2少层光电探测器，并对其进行了检测。与基于原始SnS2的光电探测器相比，基于In-SnS2少量层的光电探测器表现出更好的光电探测性能，包括更高的响应率、更高的外量子效率和更高的归一化探测率。In掺杂后，响应度(R)、外量子效率(EQE)和归一化检测率(D*)提高了2个数量级。综合考虑响应度和响应时间，基于1.4AT的光电探测器。In-SnS2少量层具有最佳的光探测性能，其高R为153.8a/W,高EQE为4.72×104%,大D*为5.81×1012Jones,响应时间为13 ms。我们的工作为提高基于SnS2的光电探测器的光电探测性能提供了一条有效的途径，以满足未来高性能光电应用的需要。
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