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硅晶体生长过程( Silicon crystal growth process )
R Satpathy V Pamuru
本章涉及单晶硅的晶体生长以及多晶硅锭的生长。在CZ法的基础上，详细地解释了晶体生长的过程。解释了杂质和位错以及工艺参数的影响。同样地，对浮子区的另一种工艺进行了详细说明，并着重介绍了该工艺的优点。对于多晶锭的生长，阐述了硅直接凝固(DSS)的详细过程。提供了用于CZ和DSS晶体生长的设备清单和相关工艺，以及所需的质量测试。重点介绍了连续直拉法、外加磁场直拉法和整体铸造法等新技术动向。
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