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具有高度集成表面纹理的垂直注入gan基发光二极管的光萃取增强( Light-extraction enhancement of vertical-injection GaN-based light-emitting diodes fabricated with highly integrated surface textures )
H Kim KK Choi KK Kim J Cho SN Lee Y Park JS Kwak TY Seong
我们报道了具有集成表面织构的高效率垂直注入GaN基发光二极管的制备。光学光线跟踪模拟结果表明，表面纹理的高度集成可以有效地提高光提取效率。通过在n-GaN周期性波纹表面上生成六角锥，在LED上表面形成集成表面织构。与没有织构的参考LED相比，集成表面织构的LED的输出功率提高了2.59倍，这与计算结果相一致。(C)2008年美国光学学会。
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