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通过插入Al2O3界面层来改善4H-SiC肖特基二极管的势垒不均匀性( Improving the barrier inhomogeneity of 4H-SiC Schottky diodes by inserting Al2O3 interface layer - ScienceDirect )
DKS A WA Ying WB Xue ZYY A XJL C JQY C CA Fei
本文采用溅射法在4H-SiC表面制备Al/Ti肖特基电极，并用原子层沉积法在金属半导体接触表面插入Al2O3层。通过插入不同厚度的介质层(Al2O3)，研究了肖特基势垒高度的不均匀性。提取了不同测量温度下的肖特基势垒高度和理想因子。实验结果表明，势垒高度变化仅为9%，理想因子接近1。此外，随着Al2O3的加入，eff与B之间的差异最大，表明Al2O3层可以钝化表面缺陷，改善接触的不均匀性。透射电镜图像还表明，Al2O3的加入降低了Ti向SiC的扩散，使其发生固相反应，形成钛硅化物，碳化物在界面上共存，改善了肖特基界面的不均匀性。特别是Al2O3的厚度为0.8nm。
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