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通过空位缺陷、原子吸附和原子掺杂实现MoSi2N4单分子层的电子和磁性可调( Tunable electronic and magnetic properties of MoSi2N4 monolayer via vacancy defects, atomic adsorption and atomic doping )
A Bafekry M Faraji Mohamed M Fadlallah A Bagheri Khatibani D Gogova
去年首次合成了具有丰富物理化学性质的二维MoSi2N4(MSN)单层膜。我们利用自旋极化密度泛函理论研究了不同类型的点缺陷对MSN单层结构、电子和磁性能的影响。吸附、取代掺杂（在不同晶格位点）以及某种空位都被认为是点缺陷。计算结果表明，所研究的缺陷均降低了MSN单层的带隙。我们发现H-,O-,P-掺杂的MSN都是n型导体。砷掺杂的MSN和含有空位缺陷的MSN具有磁矩。含有Si空位缺陷的MSN是半金属的,有利于自旋电子的应用,而含有单N空位或双空位（N+S）缺陷的MSN是金属的,有利于自旋滤波器和化学传感器的应用。
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