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入射角对Si(001)衬底上沉积Cu薄膜微观结构特性的影响( Effect of incident angle on the microstructure proprieties of Cu thin film deposited on Si (001) substrate - ScienceDirect )
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用原子尺度分子动力学(MD)模拟研究了Cu原子在Si衬底上的沉积过程。我们的目的是研究入射角度对Cu薄膜微结构特性的影响。为此，我们采用了各种分析技术，如表面粗糙度、层复盖率、薄膜密度和内应力。我们的结果表明，在低入射角(045)，Cu原子在衬底上的沉积形成了一个致密均匀的薄膜，表面近似光滑。然而，在较高的入射角(6085)，薄膜形貌从致密结构转变为具有更多空隙和空位的柱状结构，这种影响变得更加明显。随着入射角度的增加，表面粗糙度也显著增加。另一方面，界面混合分析表明，沉积角度对薄膜-衬底混合的影响很小，Cu原子在Si衬底上的渗透仅限于两个第一上层。在相同的背景下，我们的计算表明，当入射角大于60°时，薄膜密度沿生长方向显著减小。最后，沉积后的残余应力结果表明，在低入射角时，薄膜具有压应力，而当沉积角超过60°时，薄膜的残余应力转变为拉应力。
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