使用电子束快速书写Langmuir-Blodgett薄膜上的细线

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作者：scidown 发布时间：2021-07-13 15:25:59 文章标题：

使用电子束快速书写Langmuir-Blodgett薄膜上的细线( Rapid writing of fine lines in Langmuir-Blodgett films using electron beams )

文章作者：

AN Broers M Pomerantz Practical/ electron beam applications Langmuir films scanning electron microscope applications/ fine line writing impinging charge Langmuir-Blodgett films high resolution scanning transmission electron microscope manganese stearate intense electron beam contrast bright field image resolution shadowing technique deep channels/ A0780 Electron and ion microscopes and techniques B2550 Semiconductor device technology

文章简述：

我们报道了用高分辨扫描透射电子显微镜在Langmuir-Blodgett薄膜中书写分辨率为几十纳米量级的线。用Langmuir-Blodgett技术在薄的非晶碳衬底上沉积了硬脂酸锰层。用直径约为1 nm的强流电子束画线，同时用低强度扫描束观察。在强流电子束扫描薄膜的亮场图像中，对比度较轻的线条立即出现。观察到可以画出宽度为10 nm或更小、间距约为20 nm的线。撞击在谱线上的电荷约为5×103Ccm2，与其他分辨率相当的方法相比较，这是相对较低的。在交叉的地方，交叉路口几乎没有圆形。通过阴影技术，在厚度约为200 nm的薄膜中，线被显示为至少50 nm深的深沟道。本文将提到Langmuir-Blodgett薄膜中的小结构的一些可能的应用。

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