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研究不同清洗力对氧化后cmp清洗中Ce-O-Si结合的影响( Investigation of the effect of different cleaning forces on Ce-O-Si bonding during oxide post-CMP cleaning )
S Sahir NP Yerriboina SY Han KM Han JG Park
在STI后CMP清洗过程中去除氧化铈已成为半导体行业的一个重要问题。已知氧化铈与氧化物表面形成强烈的Ce-O-Si键，这导致了氧化铈的去除困难。在这项研究中，通过在pH4和pH8条件下抛光氧化物表面，即商业配制的浆料的pH，研究了键的形成和去除。采用不同的物理清洗方法（大容量和刷式清洗）和化学清洗液（标准清洗液1(SC1,NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液）、硫酸和过氧化氢混合液(SPM)和稀释HF(DHF)对氧化铈的去除机理进行了研究。研究发现，在pH4抛光条件下，由于静电吸引作用比Ce-O-Si键形成作用更大，所以氧化铈颗粒更容易被去除。然而，在pH8条件下，由于形成了很强的键，颗粒没有被去除。只有DHF和SPM两种清洗条件下，氧化铈颗粒的溶解和氧化物的强烈根切作用，才能去除氧化铈颗粒。由于DHF会引起表面粗糙度问题，SPM可能是更好的选择。
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