NO对1 ~ 10层石墨烯的强电荷转移掺杂。

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作者：scidown 发布时间：2021-07-12 17:39:29 文章标题：

NO对1 ~ 10层石墨烯的强电荷转移掺杂。( Strong charge-transfer doping of 1 to 10 layer graphene by NO. )

文章作者：

AC Crowther A Ghassaei N Jung LE Brus graphene NO2 nitrogen dioxide Raman spectroscopy charge transfer doping

文章简述：

我们用共振拉曼和光学反射衬度方法研究了1-10层(1L-10L)厚的石墨烯样品中NO(2)吸附的电荷转移。电子从石墨烯转移到NO(2)，使石墨烯层掺杂有可移动的离域空穴。随着NO(2)压强的增加，掺杂遵循Langmuir型等温线。拉曼光谱和光学对比度光谱提供了独立的、自洽的空穴密度和分布作为层数(N)函数的测量。在高掺杂条件下，当费米能级位移E(F)达到激光光子能量的一半时，石墨烯G模拉曼强度出现共振现象。我们观察到由于空穴掺杂，石墨烯的近红外吸收降低。高掺杂石墨烯比本征石墨烯具有更高的光学透明度和更高的导电性。在较厚的样品中，空穴被有效地限制在表面附近，在这些样品中，一个小的带隙在表面附近打开。我们讨论了这些高电荷转移掺杂、少层厚石墨烯样品作为一类新型电子材料的性质和通用性。

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