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利用共振磁隧穿输运技术探测掺钒钨硒的巨大塞曼位移( Probing giant Zeeman shift in vanadium-doped W Se 2 via resonant magnetotunneling transport )
J Jiang LAT Nguyen TD Nguyen DH Luong YH Lee
用磁性原子掺杂范德华层状半导体是一种简单有效的诱导磁性的方法。然而，对于这类二维半导体的电学性质及其自旋电子学中磁有序调制的研究仍然缺乏。本文报道了掺少量钒(V)原子（0.1%）的二硒化钨(WSe2)中自旋极化态的巨大塞曼位移。用垂直石墨/V-WSe2/石墨异质结的共振磁通光谱测量了塞曼位移。价带附近的p型掺杂态在外加磁场下大幅移动7.8MeV/T，相当于大约135的巨g因子，比其他二维磁性半导体高出一个数量级。通过零场冷却和场冷却过程之间的磁电阻剩磁以及磁电阻滞回现象，揭示了自旋玻璃态的铁磁有序性及其长程相互作用。在厚约5 nm的V掺杂WSe2片上，铁磁玻璃有序在50 K时完全建立，而长程相互作用在高达300 K的较高温度下仍然存在。我们的工作揭示了V掺杂WSe2半导体的磁性性质，并为未来基于二维范德华磁半导体的自旋电子学铺平了道路。
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