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化学溶液处理提高AlGaInP红μ-LED的外量子效率( Enhancement in external quantum efficiency of AlGaInP red μ-LED using chemical solution treatment process )
BO Jung W Lee J Kim M Choi MJ Kim
为了研究其表面恢复率和光学性能的影响，采用稀氢氟酸(HF)表面刻蚀技术制备了极小尺寸(12m×12m台面面积）的红色AlGaInP微发光二极管($$UPMU$$μLED)。经过化学处理后，$$uPMU$$μ-LED在低注入电流区和高注入电流区的外量子效率分别提高了35.48%和12.86%。EQEs的不同现象与表面腐蚀损伤引起的非辐射复合的抑制和侧壁光提取的改善之间有着复杂的关系。在高注入电流下EQE的不断增强归因于选择性刻蚀AlInP层导致有源区侧壁面积的扩大。在低注入电流下，改进的EQE与最小化表面等离子体损伤引起的表面复合有关。高分辨透射电镜（HR-TEM）显示，通过化学处理消除了侧壁表面的物理缺陷，如等离子体诱导的晶格无序和杂质污染损伤。本研究表明，用稀氢氟酸进行化学表面处理是提高发光二极管性能的有效方法。
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