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通过铁修饰调控超薄镍基硫族化合物纳米片的电子结构，使其具有较高的电催化活性( Regulating the electronic structure of ultrathin Ni-based chalcogenide nanosheets through iron modification towards high electrocatalytic activities )
Z Shao R Liu H Xue J Sun Q Wang
界面电子结构的调节已被证明有利于各种电催化反应。然而，在阴离子空位缺陷电催化剂中引入外来物种，研究它们的界面电子结构和协同催化效果还存在一定的争议。本文通过对伯氢氧化物纳米片的有效空间组合，构建了含有大量阴离子缺陷(Se，S)的Fe2O3/NiSe2和Fe2O3/Ni3S2异质结构催化剂。Fe2O3/NiSe2和Fe2O3/Ni3S2催化剂表现出优异的电催化活性，对OER和HER的过电位分别为200 mV和60 mV。Fe2O3/NiSe2（阳极）和Fe2O3/Ni3S2（阴极）器件在1.54V和10mA cm处加速了水分裂，超过了Pt和Ir基氧化物的集成耦合(1.57V)。结合DFT计算的化学价态表明，界面工程和阴离子缺陷可以调节Fe2O3修饰NiSe2和Ni3S2催化剂的电子结构，降低中间体的能垒，从而显著提高其催化性能。这一工作不仅为构建具有丰富负离子缺陷的活性和耐久性电催化剂提供了一种普遍的策略，而且为合理设计新型纳米结构的电催化应用提供了一条新的途径。
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