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由氮化硼单层制成的模拟开关，应用于5G和太赫兹通信系统( Analogue switches made from boron nitride monolayers for application in 5G and terahertz communication systems )
M Kim E Pallecchi R Ge X Wu G Ducournau JC Lee H Happy D Akinwande
六方氮化硼(hBN)具有带隙大、声子能高、原子表面光滑、无悬吊键等优点。因此，它被广泛地用作研究二维异质结构中电子物理的介质，以及用于制作二维晶体管和光电子器件的介质。在这里，我们展示了hBN可以用于创建模拟开关，应用于无线、5G和太赫兹频率的通信系统。我们的方法依赖于原子薄HBN的非易失性电阻开关能力。该开关由夹在两个金电极之间的单层hBN组成，其截止频率品质因数约为129THz，在0.1-200GHz范围内具有低插入损耗(≤0.5dB)和高隔离度(≥10dB)，以及高功率处理（约20dBM)和纳秒级开关速度，这些指标优于现有的固态开关。此外，就D.C而言，这些开关的效率是其他非易失性开关的50倍。能耗度量是泛在移动系统的一个重要考虑因素。我们还说明了hBN开关在100GHz传输速率为8.5Gbits，误码率低于10的通信系统中的潜力。
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