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在硅上快速熔融生长GaSb前前驱体的易表面处理( Facile Surface Treatment of Precursors Before Rapid Melt Growth of GaSb on Silicon )
Pawan Mishra Cheng-Yu Lin Chih-Ching Cheng Ming-Chang M. Lee
硅衬底上高效的单片III-V集成可以利用III-V半导体优异的光电性能和硅微加工技术用于电子、光电子、集成光子学器件。然而，硅上III-V单片集成过程中产生的界面缺陷和材料缺陷对实现高效的光发射器、探测器提出了挑战。在本研究中，我们研究了在Si衬底上快速熔体生长GaSb之前的不同表面处理方案，以达到缺陷控制的目的。通过在GaSb前驱体表面沉积10 nm的Sb层，获得了更好的RMG后GaSb的结构和光学性能。通过透射电镜和X射线能谱分析，与未处理的GaSb相比，经Sb处理的GaSb中Si的无意掺入量减少了2.48原子%。用原子力显微镜测量，经Sb层处理的GaSb前驱体表面形貌得到改善，均方根粗糙度降低到3.7nm，而未经处理的GaSb前驱体表面形貌为5.6nm。通过光致发光和拉曼光谱分析，我们在GaSb前驱体表面进行了原位Sb处理，获得了较好的光学性能和较低的缺陷密度。
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