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基于排列碳纳米管阵列的射频晶体管( Radiofrequency transistors based on aligned carbon nanotube arrays )
Huiwen Shi Li Ding Donglai Zhong Jie Han Lian-Mao Peng
下一代无线通信技术的发展要求能够工作在大于90GHz频率的集成射频器件。碳纳米管场效应晶体管在这类应用中很有前途,但包括工作频率在内的关键性能指标目前低于理论预测。在这里,我们报告了基于高纯度碳纳米管阵列的射频晶体管,使用双色散分选和二元液体界面对准工艺制作。纳米管阵列的密度约为每微米120纳米管,最大载流子迁移率为1580cmV,饱和速度可达3.0×10cms。由此产生的场效应晶体管提供高直流。工作在毫米波和太赫兹频率下的性能(通态电流为1.92mam,峰值跨导为1.40msμmat,偏置为0.9V)。50nm栅长的晶体管的电流增益和功率增益截止频率分别达到540和306GHz,射频放大器在K波段(18GHz)具有很高的功率增益(23.2dB)和固有线性度(31.2dBm三阶截点输出功率)。
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