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基于嵌入CdSe/CdS量子点的原子定义HgS中间层的高度通用近红外发射器( Highly versatile near-infrared emitters based on an atomically defined HgS interlayer embedded into a CdSe/CdS quantum dot )
V Sayevich ZL Robinson Y Kim OV Kozlov VI Klimov
胶体量子点具有高效、快速和“不闪烁”的近红外发射特性，将为许多应用带来好处，从先进的光通信和量子网络到生物医学诊断。在这里，我们报告了基于众所周知的CdSe/CdS异质结构的高质量近红外发射器。通过在量子点核/壳界面处加入HgS夹层，我们将通常可见的发光体转化为高效的近红外荧光体。利用热力学控制的金属离子和硫族离子的顺序沉积，我们在定义HgS中间层(H)厚度方面达到了原子级的精度。当H以离散的原子步骤变化时，这表现在光致发光光谱的“量子化”跳跃上。所合成的结构具有高效的光致发光特性，可调谐到700～1370nm，辐射速率约为1/60ns。单个CdSe/HgS/CdS胶体量子点的发射几乎是自由闪烁的，表现出近乎完美的单光子纯度。此外，当与发光二极管结构结合时，这些量子点显示出强的电致发光，其导通电压为亚带隙。
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