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激光CVD法合成SiC—Si3N4复合纳米颗粒
李星国 SiC Si3N4 纳米颗粒 晶体结构 粒度分布 悬空键 热稳定性
用激光化学蒸汽沉积(CVD)法合成了SiC-Si3N4复合纳 米颗粒,并用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和电子自旋共振磁力计(ESR)分析了试料的晶体结构,颗粒形状以及悬空键的状况.合成的试 料粒度分布集中,平均粒径为32nm,颗粒由直径为5～30nm的单晶或多晶组成.试料纯度高,颗粒为近似球形,十分适合于粉体的加工和烧结.另外试料有 很高的热稳定性,在加热的过程中的变化首先是悬空键减少,然后是相分解和颗粒长大.
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