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用于毫米波应用的ABF/玻璃/ABF基板的表征( Characterization of ABF/Glass/ABF Substrates for mmWave Applications )
MU Rehman S Ravichandran A Watanabe S Erdogan M Swaminathan
基于玻璃的封装为支持5G及更高频率提供了独特的机会。在本工作中，我们首次对玻璃衬底上叠层的味之素叠层膜(ABF)的电学性质进行了宽频带的表征。在20～170 GHz范围内，对ABF/Glass/ABF基叠层进行了表征。我们还报道了ABF/玻璃/ABF传输线的低损耗性能。材料堆叠由Asahi玻璃公司(AGC)的100μm厚的EN-A1玻璃芯和15μm的ABF GL102夹层组成。采用半加性工艺(SAP)对叠层进行金属化。采用微带环形谐振腔(MRR)方法提取了叠层的介电常数和损耗正切。色散模型估计在整个频率范围内叠层的介电常数为~4.72，方差为±0.1。在23GHz、103GHz和140GHz下，测量的损耗正切值分别为0.004、0.009、0.012。报道了可信区间为95%的电学表征结果。在频率范围内，共面波导线的平均插入损耗在0.055dB/mm到0.50dB/mm之间。在相同频率范围内，微带的平均插入损耗为0.12～0.62dB/mm。通过与硬件相关的良好模型，将传输线的性能与已发表的其它衬底技术的插入损耗进行了比较。
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