国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

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作者：scidown 发布时间：2021-06-28 21:58:58 文章标题：

文章作者：

付兴中赵金霞崔玉兴付兴昌氮化镓；碳化硅；硅；金刚石；衬底材料；异质集成

文章简述：

甘。原文如此，西甘甘。（6SiC，8Si），GaNHEMTSiCMOSGaNHEMT。甘，，，甘斯。

文章下载地址（开放版）：

万方

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