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嵌入范德瓦尔斯顺磁缺陷中的单自旋共振( Single-spin resonance in a van der Waals embedded paramagnetic defect )
Nathan Chejanovsky Amlan Mukherjee Jianpei Geng Yu-Chen Chen Jrg Wrachtrup
在二维范德华材料1-8的原子层中发现了过多的单光子发射体。在这里，我们报告了一组孤立的光学发射器嵌入六方氮化硼，显示光学检测磁共振。缺陷自旋的各向同性Ge因子为~2，在10 MHz以下零场分裂。其中一类缺陷的光动力学与基态电子自旋顺磁性相容。这种窄且不均匀展宽的磁共振谱与已知的面内缺陷谱有很大不同。我们确定了一个~10 MHz的超精细耦合。它的角度依赖性表明一个非配对的平面外离域π轨道电子，很可能来自取代杂质原子。我们提取了13-17μs的自旋-晶格弛豫时间T1，而估计的自旋相干时间T2小于1μs。我们的结果为六方氮化硼中单个光学活性自旋缺陷的结构、组成和动力学提供了进一步的见解。
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