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石墨烯和六方氮化硼纳米带平面异质结电子结构的DFT研究( A DFT study on the electronic structure of in-plane heterojunctions of graphene and hexagonal boron nitride nanoribbons )
Ramiro M dos Santos William F Giozza Rafael T de Sousa Junior Demétrio A da Silva Filho Renato B Santos Luiz A Ribeiro Júnior
六方氮化硼（h-BN）与石墨烯纳米带的结构相似性允许形成具有小链应力的异质结。前者的绝缘性质和后者的准金属性质使它们对平面光电子具有吸引力。最近，人们对石墨烯和h-BN畴的形状进行了精确控制，形成了尖锐的石墨烯/h-BN界面。在这里，我们考察了夹在h-BN（石墨烯）纳米带之间形成面内异质结的不同尺寸的石墨烯（h-BN）纳米带畴的电子和结构性质。研究了非钝化锯齿形端接的不同畴尺寸。结果表明，与畴尺寸无关，电荷密度都局限在异质结的边缘。具有石墨烯畴的系统是金属的，呈现零带隙。具有h-BN岛的半导体为小带隙半导体，其最高带隙值约为0.2eV。计算得到的带隙与密度泛函理论的阈值相同。作为一种普遍的趋势，这些材料表现出铁磁行为，可以在纳米尺度上的磁性应用。
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