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硅量子点表面工程:配体长度对发光二极管光电性能的影响?( Surface Engineering of Silicon Quantum Dots: Does the Ligand Length Impact the Optoelectronic Properties of Light〦mitting Diodes? )
Josef Mock Elisabeth Gro Marc Julian Kloberg Bernhard Rieger Markus Becherer light-emitting diodes organic ligands organolithium reagents silicon nanocrystals silicon quantum dots
本文研究了硅量子点发光二极管（silicon quantum dot Light Emitting diodes,SiQD）的电致发光蓝移与SiQD表面配体长度的关系。配体对于LED的制造是必不可少的，以确保胶体的稳定性，但它也阻碍了LED内部有效的电荷传输。因此，通过具有己基、辛基和十二烷基的有机锂试剂，使SiQD官能化，以获得低的SiQD表面覆盖度，从而改善电荷输运。随着配体长度的增加，SIQD之间的势垒增加，这对于电荷载流子的限制是理想的，但与电荷输运有一个折衷。与较短的己烯和较长的十二烯功能化的SIQD相比，辛基功能化的SIQD具有最高的辐照度（734 W cm）和外量子效率（1.48%）。SiQD呈现尺寸分布，而SiQD的带隙能量与SiQD尺寸成反比。因此，具有短配体的大SIQD可以在低电压下访问，而具有长配体的小SIQD则需要较高的电压。这导致了EL光谱的展宽和蓝移以及配体长度控制的尺寸选择性SiQD激活。这篇文章受版权保护。保留所有权利。
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