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一种基于碳化硅的高透明钝化触点，用于晶体硅太阳能电池，其效率接近24%( A silicon carbide-based highly transparent passivating contact for crystalline silicon solar cells approaching efficiencies of 24% )
M Khler M Pomaska P Procel R Santbergen K Ding
高透明钝化接触(TPC)作为晶体硅（c-Si）太阳能电池的前接触，原理上可以兼顾高导电性、优良的表面钝化和高的光学透明度。然而，同时优化这些特性仍然具有挑战性。在此，我们提出了一种由氧化硅隧道层和在不同温度下沉积的两层氢化纳米碳化硅（nc-SiC：H(n)）以及溅射的氧化铟锡(ITO)层（c-Si(n)/SiO2/nc-SiC：H(n)/ITO）组成的TPC。nc-SiC：H(n)的宽禁带确保了高的光学透明度,双层设计使其具有良好的钝化和高导电性,从而提高了短路电流密度（40.87 mA cm2）,填充因子（80.9%）和效率（23.99±0.29%）。此外，这种接触避免了额外氢化或高温沉积后退火步骤的需要。我们研究了TPC的钝化机理和工作原理，并在数值模拟的基础上进行了损耗分析，概述了达到26%的钝化效率的途径。
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