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降低110-锗粗糙度的CMP工艺( CMP Process for (110)-Germanium Roughness Reduction )
M Lisker A Krueger G Lupina Y Yamamoto A Mai
石墨烯以其独特的物理性能吸引了大量关注。在硅生产环境中合成200毫米晶片规模的单晶单层石墨烯对于其显着潜力的可用性是不可缺少的。除了努力从较少的核中生长石墨烯外，控制石墨烯岛的取向对于消除晶界也很重要。（110）取向锗是用于该目的的合适衬底。在此，我们重点讨论了Ge(110)/Si(110)衬底在200 mm晶圆Si技术环境下生长和加工石墨烯的后EPI优化。本文首先采用减压化学气相沉积法在Si(110)衬底上外延生长了凝胶层。该层具有2000纳米的厚度，以避免在高温下石墨烯外延过程中形成SiC。外延后得到的Ge表面具有约30纳米的RMS粗糙度，因此不适合单层石墨烯合成。这里所示的CMP工艺可以将锗的粗糙度降低到一个合理的值，这是石墨烯接下来的原子层外延工艺所需要的。为了能够用SS12抛光锗，降低浆料的pH值是有利的。为了实现这一点，在抛光步骤中直接在抛光垫上添加高度稀释的过氧化氢。关键词：平面化,Ge化学机械抛光,FEoL,CMP新兴技术,石墨烯加工,CVD,AFM,光学轮廓仪
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