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二维半导体中尖端诱导的应变、带隙和激子漏斗的纳米工程( Tip‐Induced Nano‐Engineering of Strain, Bandgap, and Exciton Funneling in 2D Semiconductors )
Y Koo Y Kim SH Choi H Lee J Choi YL Dong M Kang HS Lee KK Kim G Lee exciton funneling strain‐engineering tip‐enhanced photoluminescence spectroscopy transition metal dichalcogenide monolayer wrinkle
过渡金属二卤代烷(TMD)单层膜的带隙、吸收和发射能量、光致发光(PL)量子产率、激子输运和能量转移的可调谐性为超薄光子器件提供了一类新的功能。最近的应变控制方法已经能够调节这些特性中的一些，然而在纳米尺度上进行实时和：步长特性的动态控制仍然是一个挑战。本文利用高光谱自适应尖端改进的PL（a CILEPL）光谱技术,研究了WSe2单层中自然形成的皱纹的动态纳米力学应变效应,并对纳米光谱特性进行了实时研究。首先,通过超光谱表征了纳米尺度的皱纹,揭示了在皱纹顶点处诱导的拉伸应变改变了纳米尺度的性质,例如,由于激子漏斗效应导致量子产率增加,PL能量降低到≈10meV,以及电子带结构的重新配置导致TEPL光谱的对称性改变。然后通过原子力尖端控制按压和释放褶皱顶点来动态地设计局部应变。这种纳米力学应变能以可逆的方式在纳米尺度上调节激子动力学和发射特性。此外,本文还建立了一个系统的皱纹发射开关和调制平台,为在原子薄半导体中实现鲁棒的、可调的、超紧凑的纳米源提供了一种新的策略。
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