gd掺杂氧化铈/ y掺杂氧化锆陶瓷及薄膜的电导率和稳定性

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作者：scidown 发布时间：2021-06-09 10:32:37 文章标题：

gd掺杂氧化铈/ y掺杂氧化锆陶瓷及薄膜的电导率和稳定性( Electrical conductivity and stability of Gd-doped ceria/Y-doped zirconia ceramics and thin films )

文章作者：

XD Zhou B Scarfino HU Anderson Electrical conductivity Stability Thin films

文章简述：

研究了Ce0.90Gd0.10O1.95(CGO)与Y0.16Zr0.84O1.92(YSZ)之间的相互作用以及CGO与YSZ固溶体的电导率和热膨胀。CGO薄膜与YSZ衬底在1000°C左右发生相互作用,Zr向CGO中扩散。CGO与YSZ粉末的反应在1200°C左右开始。Ce向YSZ的扩散是主要反应。CGOX-YSZ1X固溶体为单相，电导率低于CGO和YSZ。随着氧活度的降低，固溶体的电导率增加，但未观察到与pO2无关的离子电导区。与CGO和YSZ相比，固溶体由于还原而引起的尺寸膨胀（化学膨胀）更大。

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